GB/T41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法

本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度（原子个数百分比）不大于1%。

标准号：GB/T 41153-2021

标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

英文名称：Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2021-12-31

实施日期：2022-07-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、

发布单位：国家市场监督管理总局