GB/T36613-2018发光二极管芯片点测方法

本标准规定了发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。 本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

标准号：GB/T 36613-2018

标准名称：发光二极管芯片点测方法

英文名称：Probe test method for light emitting diode chips

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-09-17

实施日期：2019-01-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L45微波、毫米波二、三极管

国际标准分类号（ICS）：电子学>>31260光电子学、激光设备

起草单位：三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院有限公司

归口单位：中华人民共和国工业和信息化部(电子)

发布单位：国家市场监督管理总局