GB/T32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法

本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。本标准适用于位错密度在1×103 个/cm2~5×108 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

标准号：GB/T 32282-2015

标准名称：氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法

英文名称：Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2015-12-10

实施日期：2016-11-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国

发布单位：国家质量监督检验检疫