GB/T32281-2015太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法

本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。?本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为02%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），检测下限分别为氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四种元素体含量的测定可使用配有铯一次离子源的SIMS仪器一次完成。

标准号：GB/T 32281-2015

标准名称：太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法

英文名称：Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock—Secondary ion mass spectrometry

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2015-12-10

实施日期：2017-01-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704030金属材料化学分析

起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、新特能源股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家质量监督检验检疫