GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

标准号：GB/T 29332-2012

标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

英文名称：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2012-12-31

实施日期：2013-06-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

国际标准分类号（ICS）：3108001;3108030

起草单位：西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫