GB/T19922-2005硅片局部平整度非接触式标准测试方法

本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。

标准号：GB/T 19922-2005

标准名称：硅片局部平整度非接触式标准测试方法

英文名称：Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2005-09-19

实施日期：2006-04-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704001金属材料试验综合

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：信息产业部（电子）

发布单位：国家质量监督检验检疫