GB/T1558-2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于01Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

标准号：GB/T 1558-2009

标准名称：硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

英文名称：Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 1558-1997

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫