GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。

标准号：GB/T 1552-1995

标准名称：硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-04-18

实施日期：1995-01-02

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704030金属材料化学分析

替代以下标准：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替

起草单位：上海有色金属研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局