GB/T15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB 45891《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB 12560《半导体器件分立器件分规范》

标准号：GB/T 15450-1995

标准名称：硅双栅场效应晶体管空白详细规范

英文名称：Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-01-05

实施日期：1995-08-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L44场效应器件

国际标准分类号（ICS）：电子学>>半导体器件>>3108099其他半导体器件

替代以下标准：作废;

起草单位：上海无线电十四厂

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局