GB/T14847-2010重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻率小于002Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于01Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试05μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。

标准号：GB/T 14847-2010

标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 14847-1993

起草单位：宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T

发布单位：国家质量监督检验检疫