SJ/T10627-1995通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

本标准规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。本标准适用于室温电阻率大于01Ω CM 的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。

标准号：SJ/T 10627-1995

标准名称：通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

英文名称：Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：1995-04-22

实施日期：1995-10-01

中国标准分类号（CCS）：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理

起草单位：电子工业部第46研究所

归口单位：电子工业部标准化研究所

发布单位：电子工业部