SJ/T11226-2000电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管

本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T 45891-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的II类要求。本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管》、GB/T 45891-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》。

标准号：SJ/T 11226-2000

标准名称：电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管

英文名称：Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2000-08-16

实施日期：2000-10-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

国际标准分类号（ICS）：电子学>>半导体器件>>3108030三极管

起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所