GB4057-1983硅单晶微缺陷的化学腐蚀检验方法

本标准行之有效用于电阻率10-1~104Ωcm的硅单晶。

标准号：GB 4057-1983

标准名称：硅单晶微缺陷的化学腐蚀检验方法

英文名称：Singie crystal sllicon-Detection of microdefects-Chemical etching technique

标准类型：国家标准

标准性质：强制性

标准状态：作废

发布日期：1983-12-20

实施日期：1984-12-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法

替代以下标准：被GB/T 1554-1995代替

起草单位：峨眉半导体材料研究所