GB/T6351-1998半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二级管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。

标准号：GB/T 6351-1998

标准名称：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

英文名称：Semiconductor devices--Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes),ambient and case-rated,up to 100A

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：1998-01-01

实施日期：1999-06-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L43半导体整流器件

国际标准分类号（ICS）：电子学>>半导体器件>>3108010二极管

替代以下标准：GB/T 6351-1986

起草单位：电子部标准化所

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

发布单位：国家质量技术监督局