GB/T36474-2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

标准号：GB/T 36474-2018

标准名称：半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

英文名称：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-06-07

实施日期：2019-01-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路

国际标准分类号（ICS）：电子学>>31200集成电路、微电子学

起草单位：中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

发布单位：国家市场监督管理总局