GB/T35306-2017硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于01 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于05 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。

标准号：GB/T 35306-2017

标准名称：硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

英文名称：Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2017-12-29

实施日期：2018-07-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家质量监督检验检疫