GB/T34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。?本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm??2?、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

标准号：GB/T 34481-2017

标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

英文名称：Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2017-10-14

实施日期：2018-07-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家质量监督检验检疫