GB/T33657-2017纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

标准号：GB/T 33657-2017

标准名称：纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

英文名称：Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2017-05-12

实施日期：2017-12-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路

国际标准分类号（ICS）：电子学>>31200集成电路、微电子学

起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)

发布单位：国家质量监督检验检疫