GB/T30453-2013硅材料原生缺陷图谱

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

标准号：GB/T 30453-2013

标准名称：硅材料原生缺陷图谱

英文名称：Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2013-12-31

实施日期：2014-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 20

发布单位：国家质量监督检验检疫