GB/T29057-2012用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

本标准采用区熔拉晶法和光谱分析法来测量多晶硅棒中的施主、受主杂质浓度。测得的施主、受主杂质浓度可以用来计算按一定的目标电阻率生长单晶硅棒所需要的掺杂量,也可以用来推算非掺杂硅棒的电阻率。

标准号：GB/T 29057-2012

标准名称：用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

英文名称：Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2012-12-31

实施日期：2013-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

发布单位：国家质量监督检验检疫