GB/T26070-2010化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

标准号：GB/T 26070-2010

标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

英文名称：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704099金属材料的其他试验方法

起草单位：中国科学院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T

发布单位：国家质量监督检验检疫