GB/T25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法

本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X 射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。

标准号：GB/T 25188-2010

标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

英文名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2010-09-26

实施日期：2011-08-01

中国标准分类号（CCS）：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法

国际标准分类号（ICS）：化工技术>>分析化学>>7104040化学分析

起草单位：中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院

归口单位：全国微束分析标准化技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫