GB/T24582-2009酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

2025-06-29

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,故根据样品重量计算结果,使用的样品重量为50g~300g,检测限为001ng/mL。

标准号:GB/T 24582-2009

标准名称:酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

英文名称:Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

标准类型:国家标准

标准性质:推荐性

标准状态:现行

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-06-01

中国标准分类号(CCS):冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号(ICS):电气工程>>29045半导体材料

起草单位:新光硅业科技责任有限公司

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

发布单位:国家质量监督检验检疫

GB/T24583.1-2019钒氮合金钒含量的测定硫酸亚铁铵滴定法
GB/T24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
猜您喜欢......
返回顶部小火箭