GB/T24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(001×10-9~50×10-9)a。

标准号：GB/T 24581-2009

标准名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：被GB/T 24581-2022代替

起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫