GB/T24581-2022硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

2025-06-29

本标准描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中III、V族杂质含量的方法。本标准适用于硅单晶中的III、V族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和 磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为10×1010 cm-3~41×1014 cm-3。

标准号:GB/T 24581-2022

标准名称:硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

英文名称:Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

标准类型:国家标准

标准性质:推荐性

标准状态:现行

发布日期:2022-03-09

实施日期:2022-10-01

中国标准分类号(CCS):冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号(ICS):冶金>>77040金属材料试验

替代以下标准:替代GB/T 24581-2009

起草单位:乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司等

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位:国家市场监督管理总局

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