GB/T24580-2009重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测报告方法

本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。12 本标准适用于对锑?砷?磷的掺杂浓度<02%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p 型杂质,且其浓度为痕量水平(<5×1014 atoms/cm3)的硅材料的测试。本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS 仪器检测限(根据仪器的型号不同,检测限大约在5×1012atoms/cm3~5×1013atoms/cm3)两倍的硅材料。

标准号：GB/T 24580-2009

标准名称：重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

英文名称：Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫