GB/T17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。

标准号：GB/T 17170-2015

标准名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

英文名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2015-12-10

实施日期：2016-07-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 17170-1997

起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国

发布单位：国家质量监督检验检疫