GB/T17170-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL２浓度红外吸收测试方法。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

标准号：GB/T 17170-1997

标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

英文名称：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1997-01-02

实施日期：1998-08-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：SJ 32494-1989;被GB/T 17170-2015代替

起草单位：电子工业部第四十六研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局