GB/T1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

标准号：GB/T 1554-2009

标准名称：硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

英文名称：Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 1554-1995

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫