GB/T1551-2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～15 104 ·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

标准号：GB/T 1551-2021

标准名称：硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2021-05-21

实施日期：2021-12-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 1551-2009

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司等

归口单位：全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家市场监督管理总局