GB/T1551-1995硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。

标准号：GB/T 1551-1995

标准名称：硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

英文名称：Test method for rseistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-04-18

实施日期：1995-01-02

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704030金属材料化学分析

替代以下标准：替代GB 1551-1979;GB 5253-1985;被GB/T 1551-2009代替

起草单位：上海有色金属工业总公司

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局