GB/T14863-1993用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。

标准号：GB/T 14863-1993

标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

英文名称：STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1993-01-02

实施日期：1994-10-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：被GB/T 14863-2013代替

起草单位：机械电子工业部所和所

归口单位：信息产业部（电子）

发布单位：国家技术监督局