GB/T14863-2013用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

标准号：GB/T 14863-2013

标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

英文名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2013-12-31

实施日期：2014-08-15

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 14863-1993;废止公告：国家标准公告2017年第31号

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

归口单位：中国电子技术标准化研究院

发布单位：国家质量监督检验检疫