GB/T14146-2009硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容?电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

标准号：GB/T 14146-2009

标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：被GB/T 14146-2021代替;替代GB/T 14146-1993

起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫