GB/T14141-1993硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于100mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为02~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。

标准号：GB/T 14141-1993

标准名称：硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1993-02-06

实施日期：1993-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：被GB/T 14141-2009代替

起草单位：峨眉半导体材料研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局