SJ20011-1992半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

标准号：SJ 20011-1992

标准名称：半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes

标准类型：行业标准

标准状态：现行

发布日期：1992-02-01

实施日期：1992-05-01

中国标准分类号（CCS）：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理

起草单位：中国电子技术标准化研究所

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布单位：中国电子工业总公司