SJ20012-1992半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。级)

标准号：SJ 20012-1992

标准名称：半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes

标准类型：行业标准

标准状态：现行

发布日期：1992-02-01

实施日期：1992-05-01

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