SJ20060-1992半导体分立器件３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范

本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)

标准号：SJ 20060-1992

标准名称：半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范

英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120

标准类型：行业标准

标准状态：现行

发布日期：1992-11-19

实施日期：1993-05-01

中国标准分类号（CCS）：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理

起草单位：中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布单位：中国电子工业总公司