SJ20176-1992半导体分立器件３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范

本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

标准号：SJ 20176-1992

标准名称：半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范

英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440

标准类型：行业标准

标准状态：现行

发布日期：1992-11-19

实施日期：1993-05-01

中国标准分类号（CCS）：矿业>>矿业综合>>D01技术管理

起草单位：中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布单位：中国电子工业总公司