YS/T1167-2016硅单晶腐蚀片

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

标准号：YS/T 1167-2016

标准名称：硅单晶腐蚀片

英文名称：Monocrystalline silicon etched wafers

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2016-07-11

实施日期：2017-01-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

发布单位：工业和信息化部