YS/T679-2008非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。本标准与SEMI MF 391-1106相比主要有如下变化：———标准格式按GB/T 11要求编排；———将SEMI MF 391-1106中的部分注转换为正文；———将SEMI MF 391-1106中部分内容进行了编排。

标准号：YS/T 679-2008

标准名称：非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

英文名称：Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：2008-03-12

实施日期：2008-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：被YS/T 679-2018代替

起草单位：有研半导体材料股份有限公司

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会

发布单位：国家发展和改革委员会