GB/T6621-2009硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

标准号：GB/T 6621-2009

标准名称：硅片表面平整度测试方法

英文名称：Testing methods for surface flatness of silicon slices

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 6621-1995

起草单位：上海合晶硅材料有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫