GB/T6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为01mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

标准号：GB/T 6616-2009

标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

英文名称：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 6616-1995

起草单位：万向硅峰电子股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫