GB/T6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3~102Ω·cm。

标准号：GB/T 6617-1995

标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-04-18

实施日期：1995-01-02

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：替代GB 6617-1986;被GB/T 6617-2009代替

起草单位：电子部标准化所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局