GB/T6617-2009硅片电阻率测定扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

标准号：GB/T 6617-2009

标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 6617-1995

起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫