GB/T4326-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。

标准号：GB/T 4326-1984

标准名称：非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

英文名称：Extrinsic semiconductor single crystals; Measurement of Hall mobility and Hall coefficient

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1984-04-12

实施日期：1985-03-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：被GB/T 4326-2006代替

起草单位：有色金属研究总院

归口单位：中国有色金属工业协会

发布单位：国家标准局