GB/T24576-2009高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。

标准号：GB/T 24576-2009

标准名称：高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

英文名称：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫