GB/T24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。

标准号：GB/T 24574-2009

标准名称：硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

英文名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫