GB/T14142-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。

标准号：GB/T 14142-1993

标准名称：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1993-02-06

实施日期：1993-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：被GB/T 14142-2017代替

起草单位：峨眉半导体材料研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局