GB/T14142-2017硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2?。

标准号：GB/T 14142-2017

标准名称：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2017-09-29

实施日期：2018-04-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 14142-1993

起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家质量监督检验检疫